买卖IC网 >> 产品目录43556 >> STB57N65M5 MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:

STB57N65M5

库存数量:984
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STB57N65M5 PDF下载
标准包装 1
系列 *
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 63 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4200pF @ 100V
功率 - 最大 250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D²PAK
包装 剪切带 (CT)
其它名称 497-13087-1
相关资料
供应商
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北京力通科信电子有限公司 13661385246 韩小姐
  • STB57N65M5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 15.012 15.012
    10 13.6212 136.212
    25 12.6288 315.72
    100 11.571 1157.1
    250 10.5792 2644.8
    500 9.85188 4925.94